國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊! 基本半導體SiC模塊替代Infineon英飛凌IGBT模塊，基本半導體SiC模塊替代三菱IPM模塊，基本半導體SiC模塊替代Semikron賽米控IGBT模塊，基本半導體SiC模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊，基本半導體SiC模塊替代Fuji富士IGBT模塊！ 使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統！-傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo) 使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?SiC碳化硅MOSFET升級傳統IGBT變流器，實(shí)現更高的變流效率，更小的變流體積重量！更低的變流成本！ 隨著(zhù)銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著(zhù)提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時(shí)代，未來(lái)已來(lái)！傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?SiC碳化硅MOSFET！ 基本半導體的SiC碳化硅功率器件戰略能夠滿(mǎn)足所有關(guān)鍵因素的要求：BASiCSEMI基本半導體多樣化的晶圓和采購網(wǎng)絡(luò )（BASiCSEMI基本半導體自有晶圓廠(chǎng)及與代工廠(chǎng)相結合，BASiCSEMI基本半導體自有封裝廠(chǎng)與代工相結合）、BASiCSEMI基本半導體一流的平面柵器件B3M及更新的溝槽器件（研發(fā)中）、BASiCSEMI基本半導體最全面的功率模塊封裝和電力電子建模、卓越的系統理解、與最廣泛的汽車(chē)、BASiCSEMI基本半導體工業(yè)和可再生能源客戶(hù)的合作，以及未來(lái)可根據實(shí)際市場(chǎng)需求進(jìn)行擴展的最佳成本彈性生產(chǎn)足跡，正是這些獨特的因素，使BASiCSEMI基本半導體碳化硅功率器件業(yè)務(wù)在未來(lái)的發(fā)展中不斷取得成功。 傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應用中全面取代IGBT，全力推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT! 傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，FF4MR20KM1HP，FF3MR20KM1H，FF5MR20KM1HP，FF5MR20KM1H，FF4MR20KM1H，FF3MR20KM1HP。 基本半導體?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛凌IGBT模塊：FF900R12ME7W_B11，FF900R17ME7W_B11，FF450R12KT4，FF600R12ME4_B72，FF750R12ME7_B11，FF900R12ME7P_B11，IFF600B12ME4_B11，FF600R12KE4 基本半導體?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SiC模塊：SK40MD120CR03ETE1，SK40MB120CR03TE1，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1，SK150MB120CR03TE2，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC，SK250MB120CR03TE2V1，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15，SKM350MB120SCH17，SKM500MB120SC，SKM260MB170SCH17 基本半導體?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士IGBT模塊：2MBI600XHA120-50，2MBI450XHA120-50，2MBI450XNA120-50，2MBI600XNG120-50，2MBI800XNE120-50，2MBI1000XRNE120-50，2MBI450XNA170-50，2MBI600XNG170-50，2MBI800XRNE170-50，2CSI300DAHE120-50，2CSI450DAHE120-50，2CSI600DAHE120-50，2CSI200DAHE170-50，2CSI300DAHE170-50，2CSI400DAHE170-50 傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market! 國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲系統，1500V系統大組串SiC光伏逆變器，1500V系統儲能變流器PCS，1500V系統固態(tài)斷路器，固態(tài)變壓器等。 大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統上使用飛跨電容IGBT方案，控制復雜，頻率低，采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?2000V系列SiC碳化硅MOSFET進(jìn)行兩電平改造，控制簡(jiǎn)單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。 IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實(shí)現半導體總功率損耗的顯著(zhù)降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開(kāi)關(guān)損耗，從而提高開(kāi)關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以?xún)?yōu)化濾波器組件，相應的損耗會(huì )下降，從而全面減少系統損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開(kāi)關(guān)頻率提5倍（實(shí)現顯著(zhù)的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持最高結溫低于最大規定值。