國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊! 基本半導體SiC模塊替代Infineon英飛凌IGBT模塊，基本半導體SiC模塊替代三菱IPM模塊，基本半導體SiC模塊替代Semikron賽米控IGBT模塊，基本半導體SiC模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊，基本半導體SiC模塊替代Fuji富士IGBT模塊！ 使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統！-傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo) 使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?SiC碳化硅MOSFET升級傳統IGBT變流器，實(shí)現更高的變流效率，更小的變流體積重量！更低的變流成本！ 隨著(zhù)銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著(zhù)提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時(shí)代，未來(lái)已來(lái)！傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?SiC碳化硅MOSFET！ 基本半導體的SiC碳化硅功率器件戰略能夠滿(mǎn)足所有關(guān)鍵因素的要求：BASiCSEMI基本半導體多樣化的晶圓和采購網(wǎng)絡(luò )（BASiCSEMI基本半導體自有晶圓廠(chǎng)及與代工廠(chǎng)相結合，BASiCSEMI基本半導體自有封裝廠(chǎng)與代工相結合）、BASiCSEMI基本半導體一流的平面柵器件B3M及更新的溝槽器件（研發(fā)中）、BASiCSEMI基本半導體最全面的功率模塊封裝和電力電子建模、卓越的系統理解、與最廣泛的汽車(chē)、BASiCSEMI基本半導體工業(yè)和可再生能源客戶(hù)的合作，以及未來(lái)可根據實(shí)際市場(chǎng)需求進(jìn)行擴展的最佳成本彈性生產(chǎn)足跡，正是這些獨特的因素，使BASiCSEMI基本半導體碳化硅功率器件業(yè)務(wù)在未來(lái)的發(fā)展中不斷取得成功。 傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應用中全面取代IGBT，全力推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT! 傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，FF4MR20KM1HP，FF3MR20KM1H，FF5MR20KM1HP，FF5MR20KM1H，FF4MR20KM1H，FF3MR20KM1HP。 基本半導體?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛凌IGBT模塊：FF900R12ME7W_B11，FF900R17ME7W_B11，FF450R12KT4，FF600R12ME4_B72，FF750R12ME7_B11，FF900R12ME7P_B11，IFF600B12ME4_B11，FF600R12KE4 基本半導體?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SiC模塊：SK40MD120CR03ETE1，SK40MB120CR03TE1，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1，SK150MB120CR03TE2，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC，SK250MB120CR03TE2V1，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15，SKM350MB120SCH17，SKM500MB120SC，SKM260MB170SCH17 基本半導體?SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士IGBT模塊：2MBI600XHA120-50，2MBI450XHA120-50，2MBI450XNA120-50，2MBI600XNG120-50，2MBI800XNE120-50，2MBI1000XRNE120-50，2MBI450XNA170-50，2MBI600XNG170-50，2MBI800XRNE170-50，2CSI300DAHE120-50，2CSI450DAHE120-50，2CSI600DAHE120-50，2CSI200DAHE170-50，2CSI300DAHE170-50，2CSI400DAHE170-50 傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market! 國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲系統，1500V系統大組串SiC光伏逆變器，1500V系統儲能變流器PCS，1500V系統固態(tài)斷路器，固態(tài)變壓器等。 大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統上使用飛跨電容IGBT方案，控制復雜，頻率低，采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?2000V系列SiC碳化硅MOSFET進(jìn)行兩電平改造，控制簡(jiǎn)單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。 IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實(shí)現半導體總功率損耗的顯著(zhù)降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開(kāi)關(guān)損耗，從而提高開(kāi)關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以?xún)?yōu)化濾波器組件，相應的損耗會(huì )下降，從而全面減少系統損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開(kāi)關(guān)頻率提5倍（實(shí)現顯著(zhù)的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持最高結溫低于最大規定值。 未來(lái)隨著(zhù)設備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開(kāi)關(guān)損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。 為此，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導通電阻、器件開(kāi)關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車(chē)、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅動(dòng)、APF/SVG、熱泵驅動(dòng)、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現更為出色的能源效率和應用可靠性。 為滿(mǎn)足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應用需求，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開(kāi)發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導通電阻、低導通損耗、低開(kāi)關(guān)損耗、支持更高開(kāi)關(guān)頻率運行等特點(diǎn)。 針對新能源汽車(chē)的應用需求，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?研發(fā)推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車(chē)載充電機及汽車(chē)空調壓縮機驅動(dòng)中。 B3M040120Z是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開(kāi)發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產(chǎn)品在比導通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。 BMF240R12E2G3是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。 B2M040120T和B2M080120T是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)的頂部散熱內絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調壓縮機和工業(yè)電源中。 BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體?推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動(dòng)芯片BTD25350系列，此驅動(dòng)芯片專(zhuān)為碳化硅MOSFET門(mén)極驅動(dòng)設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開(kāi)通，還可用于驅動(dòng)MOSFET、IGBT等功率器件。 為了保持電力電子系統競爭優(yōu)勢，同時(shí)也為了使最終用戶(hù)獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優(yōu)勢所在。隨著(zhù)IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類(lèi)型電力電子應用的主流趨勢。 傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本?（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?單管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?I型三電平IGBT模塊，BASiC基本?T型SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?混合SiC-IGBT單管，BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET專(zhuān)用雙通道隔離驅動(dòng)芯片BTD25350，單通道隔離驅動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅動(dòng)芯片（帶VCE保護）BTD3011,BASiC基本?混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶(hù)用光伏逆變器，戶(hù)用光儲一體機，儲能變流器，儲能PCS,雙向LLC電源模塊，儲能PCS-Buck-Boost電路，光儲一體機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車(chē)載充電器，熱管理電動(dòng)壓縮機驅動(dòng)器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機驅動(dòng)，大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲能變流器，變頻器，變槳伺服驅動(dòng)輔助電源，高頻逆變焊機，高頻伺服驅動(dòng)，AI服務(wù)器電源，算力電源，數據中心電源，機房UPS等領(lǐng)域與客戶(hù)戰略合作，傾佳電子（Changer Tech）全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！ 傾佳電子（Changer Tech）-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅動(dòng)IC)分銷(xiāo)商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數字化轉型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場(chǎng)景下，融合數字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù)，以實(shí)現發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車(chē)”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術(shù)創(chuàng )新為導向，將不斷創(chuàng )新技術(shù)和產(chǎn)品，堅定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶(hù)提供高品質(zhì)汽車(chē)智能互聯(lián)連接器與線(xiàn)束，新能源汽車(chē)連接器，新能源汽車(chē)高壓連接器與線(xiàn)束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng )新型車(chē)規級互聯(lián)產(chǎn)品，包括線(xiàn)對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內為EV電池充滿(mǎn)電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無(wú)線(xiàn)充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng )新為導向的各類(lèi)功率半導體器件：車(chē)規碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅動(dòng)SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車(chē)載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅動(dòng)IC等產(chǎn)品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務(wù)于中國新能源汽車(chē)行業(yè)，新能源汽車(chē)電控系統，電力電子裝備，新能源汽車(chē)充電樁系統，全液冷超充，高功率密度風(fēng)冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車(chē)載DCDC模塊，國網(wǎng)三統一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠(chǎng)、智能充電網(wǎng)絡(luò )、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲，智能組串式儲能等行業(yè)應用，傾佳電子（Changer Tech）為實(shí)現零碳發(fā)電、零碳數據中心、零碳網(wǎng)絡(luò )、零碳家庭等新能源發(fā)展目標奮斗，從而為實(shí)現一個(gè)零碳地球做出貢獻，邁向數字能源新時(shí)代！