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    傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)BASiC基本碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本單管IGBT,BASiC基本IGBT模塊,BASiC基本三電平IGBT模塊,BASiC基本I型三電平IGBT模塊,BASiC基本T型三電平IGBT模塊,BASiC基本混合SiC-IGBT單管,BASiC基本混合SiC-IGBT模塊,單通道隔離驅動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅動(dòng)芯片(帶VCE保護)BTD3011,BASiC基本混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶(hù)用光伏逆變器,戶(hù)用光儲一體機,儲能變流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機,PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車(chē)載充電器,熱管理電動(dòng)壓縮機驅動(dòng)器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機驅動(dòng),大功率工業(yè)電源,工商業(yè)儲能變流器,變頻器,變槳伺服驅動(dòng)輔助電源,高頻逆變焊機,高頻伺服驅動(dòng),AI服務(wù)器電源,算力電源,數據中心電源,機房UPS等領(lǐng)域與客戶(hù)戰略合作,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展! 傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的基本隔離驅動(dòng)IC產(chǎn)品主要有BTD21520xx是一款雙通道隔離門(mén)極驅動(dòng)芯片,輸出拉灌峰值電流典型值4A/6A,絕緣電壓高達5000Vrms@SOW14封裝、3000Vrms@SOP16封裝;抗干擾能力強,高達100V/ns;低傳輸延時(shí)至45ns;分別提供 3 種管腳配置:BTD21520M提供禁用管腳(DIS)和死區設置(DT),BTD21520S提供禁用管腳(DIS), BTD21520E 提供單一PWM輸入;副邊VDD欠壓保護點(diǎn)兩種可選:分別是5.7V和8.2V。主要規格有BTD21520MAWR,BTD21520MBWR,BTD21520SAWR,BTD21520SBWR,BTD21520EAWR,BTD21520EBWR,?BTD21520MAPR,BTD21520MBPR,BTD21520SAPR,BTD21520SBPR,BTD21520EAPR,BTD21520EBPR,BTD5350xx是一款單通道隔離門(mén)極驅動(dòng)IC,輸出峰值電流典型值10A, 絕緣電壓高達5000Vrms@SOW8封裝,3000Vrms@SOP8封裝;抗干擾能力強,高達100V/ns;傳輸延時(shí)低至60ns;分別提供 3 種管腳配置:BTD5350M 提供門(mén)極米勒鉗位功能,BTD5350S 提供獨立的開(kāi)通和關(guān)斷輸出管腳,BTD5350E 對副邊的正電源配置欠壓保護功能;副邊VCC欠壓保護點(diǎn)兩種可選:分別是8V和11V。主要規格有BTD5350MBPR,BTD5350MCPR,BTD5350MBWR,BTD5350MCWR,BTD5350SBPR,BTD5350SCPR,BTD5350SBWR?,BTD5350SCWR,BTD5350EBPR,BTD5350ECPR,BTD5350EBWR,BTD5350ECWR,BTD3011R是一款單通道智能隔離門(mén)極驅動(dòng)芯片,采用磁隔離技術(shù);絕緣電壓高達5000Vrms@SOW16封裝;輸出峰值電流典型值15A;管腳功能集成功率器件短路保護和短路保護后軟關(guān)斷功能,集成原副邊電源欠壓保護;集成副邊電源穩壓器功能,此穩壓器可以根據副邊電源輸入電壓,使驅動(dòng)管腳自動(dòng)分配正負壓,適用在給電壓等級1200V以?xún)鹊腎GBT或者碳化硅 MOSFET驅動(dòng)。BTL2752x 系列是一款雙通道、高速、低邊門(mén)極驅動(dòng)器,輸出側采用軌到軌方式;拉電流與灌電流能力可高達 5A,上升和下降時(shí)間低至 7ns 與 6ns;芯片的兩個(gè)通道可并聯(lián)使用,以增強驅動(dòng)電流能力;信號輸入腳最大可抗-5V的持續負壓,支持4個(gè)標準邏輯選項:BTL27523帶使能雙路反相,BTL27523B不帶使能雙路反相 和 BTL27524帶使能雙路同相,BTL27524B不帶使能雙路同相。主要規格:BTL27523R,BTL27523BR,BTL27524R,BTL27524BR 傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)碳化硅MOSFET專(zhuān)用雙通道隔離驅動(dòng)IC-BTD25350,原方帶死區時(shí)間設置,副方帶米勒鉗位功能: BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應用場(chǎng)景: 充電樁電源模塊后級LLC用SiC MOSFET 方案 光伏儲能高壓電池BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案 高頻APF,用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案 空調壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案 OBC后級LLC中的SIC MOSFET方案 服務(wù)器交流側圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案 傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本國產(chǎn)車(chē)規級碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車(chē)規級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車(chē)規級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET,全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,Full SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調熱泵驅動(dòng),機車(chē)輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機,超高頻伺服驅動(dòng)器,高速電機變頻器等,光伏逆變器專(zhuān)用直流升壓模塊BOOST Module,儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET。專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展! 基本再度亮相全球功率半導體展會(huì )——PCIM Europe 2023,在德國紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升,產(chǎn)品類(lèi)型進(jìn)一步豐富,助力新能源汽車(chē)、直流快充、光伏儲能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現更為出色的能源效率和應用可靠性。 傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色: 1.出類(lèi)拔萃的可靠性:相對競品較為充足的設計余量來(lái)確保大規模制造時(shí)的器件可靠性。 BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實(shí)測在1700V左右,高于市面主流競品,擊穿電壓BV設計余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動(dòng),能夠確保大批量制造時(shí)的器件可靠性,這是BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET最關(guān)鍵的品質(zhì). 2.可圈可點(diǎn)的器件性能:同規格較小的Crss帶來(lái)出色的開(kāi)關(guān)性能。 BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中是比較小的,帶來(lái)關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的,優(yōu)于部分海外競品,特別適用于LLC應用. Ciss:輸入電容(Ciss=Cgd+Cgs) ?柵極-漏極和柵極-源極電容之和:它影響延遲時(shí)間;Ciss越大,延遲時(shí)間越長(cháng)。BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競品。 Crss:反向傳輸電容(Crss=Cgd) ?柵極-漏極電容:Crss越小,漏極電流上升特性越好,這有利于MOSFET的損耗,在開(kāi)關(guān)過(guò)程中對切換時(shí)間起決定作用,高速驅動(dòng)需要低Crss。 Coss:輸出電容(Coss=Cgd+Cds)?柵極-漏極和漏極-源極電容之和:它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果Coss較大,關(guān)斷dv/dt減小,這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。 傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的基本B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色: ? 比導通電阻降低40%左右 ? Qg降低了60%左右 ? 開(kāi)關(guān)損耗降低了約30% ? 降低Coss參數,更適合軟開(kāi)關(guān) ? 降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串擾行為下誤導通風(fēng)險 ? 最大工作結溫175℃? HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結溫Tj=175℃通過(guò)測試 ? 優(yōu)化柵氧工藝,提高可靠性 ? 高可靠性鈍化工藝 ? 優(yōu)化終端環(huán)設計,降低高溫漏電流 ? AEC-Q101 碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件,可提高功率回路開(kāi)關(guān)頻率,提升系統效率及功率密度,降低系統綜合成本。適用于高性能變換器電路與數字化先進(jìn)控制、高效率 DC/DC 拓撲與控制,雙向 AC/DC、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機(OBC)/雙向OBC、車(chē)載電源、集成化 OBC ,雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓撲與控制,直流配網(wǎng)的電力電子變換器。SiC MOSFET越來(lái)越多地用于高壓電源轉換器,因為它們可以滿(mǎn)足這些應用對尺寸、重量和/或效率的嚴格要求. 碳化硅 (SiC) MOSFET功率半導體技術(shù)代表了電力電子領(lǐng)域的根本性變革。SiC MOSFET 的價(jià)格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 貴。然而,在評估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整體電力電子系統價(jià)值時(shí),需要考慮整個(gè)電力電子系統和節能潛力。需要仔細考慮以下電力電子系統節?。?第一降低無(wú)源元件成本,無(wú)源功率元件的成本在總體BOM成本中占主導地位。提高開(kāi)關(guān)頻率提供了一種減小這些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散熱要求,使用碳化硅 (SiC) MOSFET可顯著(zhù)降低散熱器溫度高達 50%,從而縮小散熱器尺寸和/或消除風(fēng)扇,從而降低設備生命周期內的能源成本。 通常的誘惑是在計算價(jià)值主張時(shí)僅考慮系統的組件和制造成本。在考慮碳化硅 (SiC) MOSFET的在電力電子系統里的價(jià)值時(shí),考慮節能非常重要。在電力電子設備的整個(gè)生命周期內節省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET價(jià)值主張的一個(gè)重要部分。 傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的基本第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開(kāi)發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面表現更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎上,基本還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿(mǎn)足客戶(hù)需求。 基本第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn) 更低比導通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設計方案,比導通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著(zhù)提升。 更低器件開(kāi)關(guān)損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串擾行為下誤導通的風(fēng)險。 更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過(guò)更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產(chǎn)品可靠性表現出色。 更高工作結溫:第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C,提高器件高溫工作能力。 基本第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M160120H,B2M160120Z,B2M160120R,B2M080120H,B2M080120Z,B2M80120R,B2M018120H,B2M018120Z,B2M020120Y,B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M032120Y,B2M018120Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,半橋SiC MOSFET模塊,ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,T型三電平模塊,MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。 B2M032120Y國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H,安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。 B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K,意法SCT040W120G3-4AG。 B2M020120Y國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K,意法SCT015W120G3-4AG。 B2M1000170R國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。 B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。 B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S,C3M0075120K-A,意法SCT070W120G3-4AG。 碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設計快速開(kāi)關(guān)單極型器件,替代升級雙極型 IGBT (絕緣柵雙極晶體管)開(kāi)關(guān)。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更少的散熱和節省空間——這些好處反過(guò)來(lái)也降低了總體系統成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的導通電阻特性呈線(xiàn)性變化,在低電流時(shí)SiC-MOSFET比IGBT具有優(yōu)勢。 與IGBT相比,SiC-MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的電力電子裝置有時(shí)不得不使用三電平拓撲來(lái)優(yōu)化效率。當改用碳化硅 (SiC) MOSFET時(shí),可以使用簡(jiǎn)單的兩級拓撲。因此所需的功率元件數量實(shí)際上減少了一半。這不僅可以降低成本,還可以減少可能發(fā)生故障的組件數量。SiC MOSFET 不斷改進(jìn),并越來(lái)越多地加速替代以 Si IGBT 為主的應用。 SiC MOSFET 幾乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作頻率的應用。這些應用范圍廣泛,從太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器和電機驅動(dòng)到感應加熱系統和高壓 DC/DC 轉換器。 隨著(zhù)自動(dòng)化制造、電動(dòng)汽車(chē)、先進(jìn)建筑系統和智能電器等行業(yè)的發(fā)展,對增強這些機電設備的控制、效率和功能的需求也在增長(cháng)。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定義了歷史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 進(jìn)行功率逆變的電動(dòng)機的功能。這項創(chuàng )新擴展了幾乎每個(gè)行業(yè)的電機驅動(dòng)應用的能力。Si IGBT 因其高電流處理能力、快速開(kāi)關(guān)速度和低成本而歷來(lái)用于直流至交流電機驅動(dòng)應用。最重要的是,Si IGBT 具有高額定電壓、低電壓降、低電導損耗和熱阻抗,使其成為制造系統等高功率電機驅動(dòng)應用的明顯選擇。然而,Si IGBT 的一個(gè)顯著(zhù)缺點(diǎn)是它們非常容易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時(shí),就會(huì )發(fā)生熱失控,導致器件發(fā)生故障并最終失效。在高電流、電壓和工作條件常見(jiàn)的電機驅動(dòng)應用中,例如電動(dòng)汽車(chē)或制造業(yè),熱失控可能是一個(gè)重大的設計風(fēng)險。 電力電子轉換器提高開(kāi)關(guān)頻率一直是研發(fā)索所追求的方向,因為相關(guān)組件(特別是磁性元件)可以更小,從而產(chǎn)生小型化優(yōu)勢并節省成本。然而,所有器件的開(kāi)關(guān)損耗都與頻率成正比。IGBT 由于“拖尾電流”以及較高的門(mén)極電容的充電/放電造成的功率損耗,IGBT 很少在 20KHz 以上運行。SiC MOSFET在更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的功率損耗方面提供了巨大的優(yōu)勢。IGBT 經(jīng)過(guò)多年的高度改進(jìn),使得實(shí)現性能顯著(zhù)改進(jìn)變得越來(lái)越具有挑戰性。例如,很難降低總體功率損耗,因為在傳統的 IGBT 設計中,降低傳導損耗通常會(huì )導致開(kāi)關(guān)損耗增加。 作為應對這一設計挑戰的解決方案,SiC MOSFET 具有更強的抗熱失控能力。碳化硅 的導熱性更好,可以實(shí)現更好的設備級散熱和穩定的工作溫度。SiC MOSFET 更適合較溫暖的環(huán)境條件空間,例如汽車(chē)和工業(yè)應用。此外,鑒于其導熱性,SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統的需求,從而有可能減小總體系統尺寸并降低系統成本。 由于 SiC MOSFET 的工作開(kāi)關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多,因此它們非常適合需要精確電機控制的應用。高開(kāi)關(guān)頻率在自動(dòng)化制造中至關(guān)重要,高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。此外,與 Si IGBT 電機驅動(dòng)器系統相比,SiC MOSFET 的一個(gè)顯著(zhù)優(yōu)勢是它們能夠嵌入電機組件中,電機控制器和逆變器嵌入與電機相同的外殼內。使用SiC MOSFET 作為變頻器或者伺服驅動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,由于 MOSFET 的線(xiàn)性損耗與負載電流的關(guān)系,它可以在所有功率級別保持效率曲線(xiàn)“平坦”。SiC MOSFET變頻伺服驅動(dòng)器的柵極電阻的選擇是為了首先避免使用外部輸出濾波器,以保護電機免受高 dv/dt 的影響(只有電機電纜長(cháng)度才會(huì )衰減 dv/dt)。 SiC MOSFET變頻伺服驅動(dòng)器相較于IGBT變頻伺服驅動(dòng)器在高開(kāi)關(guān)頻率下的巨大效率優(yōu)越性. 盡管 SiC MOSFET 本身成本較高,但某些應用可能會(huì )看到整個(gè)電機驅動(dòng)器系統的價(jià)格下降(通過(guò)減少布線(xiàn)、無(wú)源元件、熱管理等),并且與 Si IGBT 系統相比總體上可能更便宜。這種成本節省可能需要在兩個(gè)應用系統之間進(jìn)行復雜的設計和成本研究分析,但可能會(huì )提高效率并節省成本?;?SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統能夠顯著(zhù)延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)續航里程并將充電時(shí)間縮短一半。 LLC,移相全橋等應用實(shí)現ZVS主要和Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲能的大小,值越大越難實(shí)現ZVS;更快的關(guān)斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗,影響體二極管的續流維持時(shí)間或者開(kāi)關(guān)兩端電壓能達到的最低值;因為續流期間的主要損耗為體二極管的導通損耗.在這些參數方面,B2M第二代碳化硅MOSFET跟競品比,B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小,需要的死區時(shí)間初始電流??;B2M第二代碳化硅MOSFET抗側向電流觸發(fā)寄生BJT的能力會(huì )強一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競品有較多優(yōu)勢,能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險。綜合來(lái)看,比起競品,LLC,移相全橋應用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現會(huì )更好.
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