適用于光伏逆變器升壓MPPT及充電樁輸出整流的BASiC基本碳化硅肖特基二極管-傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)
適用于大功率PD電源，服務(wù)器電源，通信電源預計其他工業(yè)電源PFC應用的BASiC基本碳化硅肖特基二極管-傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，與傳統的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導熱系數(4.9W/cm·K)使得功率半導體器件效率更高，運行速度更快，并且在設備的成本、體積、重量等方面都得到了降低?；景雽w碳化硅肖特基二極管，提供行業(yè)標準封裝，具有優(yōu)越的性能和極高的工作效率。
傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)的BASiC基本碳化硅肖特基二極管主要產(chǎn)品有：
B3D05120E TO-252-2
B3D20120H TO-247-2
B3D40120HC TO-247-3
B2D60120H1 TO-247-2
B2DM100120N1 SOT-227
B1D02065E TO-252-2
B1D02065K TO-220-2
B2D04065E1 TO-252-2
B2D04065D1 DFN 5*6
B2D04065KF1 TO-220F-2
B2D04065V SMBF
B2D04065K1 TO-220-2
B2D06065E1 TO-252-3
B1D06065F TO-263-2
B2D06065K1 TO-220-2
B2D06065KF1 TO-220F-2
B1D06065KS TO-220-isolated
B2D06065Q DFN8*8
B1D08065E TO-252-2
B1D08065F TO-263-2
B2D08065K1 TO-220-2
B1D08065KF TO-220F-2
B1D08065KS TO-220-isolated
B2D08065KS TO-220-isolated
B2D10065E1 TO-252-3
B2D10065F1 TO-263-3
B1D10065H TO-247-2
B2D10065K1 TO-220-2
B2D10065KF1 TO-220F-2
B1D10065KS TO-220-isolated
B2D10065Q DFN8*8
B2D10065KS TO-220-isolated
B1D12065K TO-220-2
B1D15065K TO-220-2
B2D15065K TO-220-2
B2D16065HC1 TO-247-3
B2D20065H1 TO-247-2
B2D20065HC1 TO-247-3
B2D20065F1 TO-263-3
B2D20065K1 TO-220-2
B2D20065TF TO-3PF
B2D30065HC1 TO-247-3
B1D30065TF TO-3PF
B2D30065H1 TO-247-2
B2D40065H1 TO-247-2
B2D40065HC1 TO-247-3
B2D02120E1 TO-252-2
B2D02120K1 TO-220-2
B2D05120E1 TO-252-2
B2D05120K1 TO-220-2
B2D10120E1 TO-252-2
B2D10120H1 TO-247-2
B2D10120HC1 TO-247-3
B2D10120K1 TO-220-2
B2D15120H1 TO-247-2
B2D16120HC1 TO-247-3
B2D20120H1 TO-247-2
B2D20120H2 TO-247-2
B3D20120H TO-247-2
B2D20120F1 TO-263-2
B2D20120HC1 TO-247-3
B2D30120H1 TO-247-2
B2D30120HC1 TO-247-3
B3D30120HC TO-247-3
B2D40120H1 TO-247-2
B2D40120HC1 TO-247-3
B3D40120HC TO-247-3
BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色：
1.出類(lèi)拔萃的可靠性：相對競品較為充足的設計余量來(lái)確保大規模制造時(shí)的器件可靠性。
BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實(shí)測在1700V左右，高于市面主流競品，擊穿電壓BV設計余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動(dòng)，能夠確保大批量制造時(shí)的器件可靠性，這是BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET最關(guān)鍵的品質(zhì).
2.可圈可點(diǎn)的器件性能：同規格較小的Crss帶來(lái)出色的開(kāi)關(guān)性能。
BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中是比較小的，帶來(lái)關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的，優(yōu)于部分海外競品，特別適用于LLC應用.
Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ?柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時(shí)間；Ciss越大，延遲時(shí)間越長(cháng)。BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競品。
Crss：反向傳輸電容（Crss＝Cgd） ?柵極-漏極電容：Crss越小，漏極電流上升特性越好，這有利于MOSFET的損耗，在開(kāi)關(guān)過(guò)程中對切換時(shí)間起決定作用，高速驅動(dòng)需要低Crss。
Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）?柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果Coss較大，關(guān)斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。
傾佳電子專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)碳化硅MOSFET專(zhuān)用雙通道隔離驅動(dòng)IC-BTD25350，原方帶死區時(shí)間設置，副方帶米勒鉗位功能：
BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應用場(chǎng)景：
充電樁電源模塊后級LLC用SiC MOSFET 方案
光伏儲能高壓電池BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案
高頻APF，用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案
空調壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案
OBC后級LLC中的SIC MOSFET方案
服務(wù)器交流側圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案
基本B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：
? 比導通電阻降低40%左右
? Qg降低了60%左右
? 開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%
? 降低Coss參數，更適合軟開(kāi)關(guān)
? 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串擾行為下誤導通風(fēng)險
? 最大工作結溫175℃? HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結溫Tj=175℃通過(guò)測試
? 優(yōu)化柵氧工藝，提高可靠性
? 高可靠性鈍化工藝
? 優(yōu)化終端環(huán)設計，降低高溫漏電流
? AEC-Q101
碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設計快速開(kāi)關(guān)單極型器件，替代升級雙極型 IGBT （絕緣柵雙極晶體管）開(kāi)關(guān)。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更少的散熱和節省空間——這些好處反過(guò)來(lái)也降低了總體系統成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的導通電阻特性呈線(xiàn)性變化，在低電流時(shí)SiC-MOSFET比IGBT具有優(yōu)勢。
與IGBT相比，SiC-MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的電力電子裝置有時(shí)不得不使用三電平拓撲來(lái)優(yōu)化效率。當改用碳化硅 (SiC) MOSFET時(shí)，可以使用簡(jiǎn)單的兩級拓撲。因此所需的功率元件數量實(shí)際上減少了一半。這不僅可以降低成本，還可以減少可能發(fā)生故障的組件數量。SiC MOSFET 不斷改進(jìn)，并越來(lái)越多地加速替代以 Si IGBT 為主的應用。 SiC MOSFET 幾乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作頻率的應用。這些應用范圍廣泛，從太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器和電機驅動(dòng)到感應加熱系統和高壓 DC/DC 轉換器。
隨著(zhù)自動(dòng)化制造、電動(dòng)汽車(chē)、先進(jìn)建筑系統和智能電器等行業(yè)的發(fā)展，對增強這些機電設備的控制、效率和功能的需求也在增長(cháng)。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定義了歷史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 進(jìn)行功率逆變的電動(dòng)機的功能。這項創(chuàng )新擴展了幾乎每個(gè)行業(yè)的電機驅動(dòng)應用的能力。Si IGBT 因其高電流處理能力、快速開(kāi)關(guān)速度和低成本而歷來(lái)用于直流至交流電機驅動(dòng)應用。最重要的是，Si IGBT 具有高額定電壓、低電壓降、低電導損耗和熱阻抗，使其成為制造系統等高功率電機驅動(dòng)應用的明顯選擇。然而，Si IGBT 的一個(gè)顯著(zhù)缺點(diǎn)是它們非常容易受到熱失控的影響。當器件溫度不受控制地升高時(shí)，就會(huì )發(fā)生熱失控，導致器件發(fā)生故障并最終失效。在高電流、電壓和工作條件常見(jiàn)的電機驅動(dòng)應用中，例如電動(dòng)汽車(chē)或制造業(yè)，熱失控可能是一個(gè)重大的設計風(fēng)險。
電力電子轉換器提高開(kāi)關(guān)頻率一直是研發(fā)索所追求的方向，因為相關(guān)組件（特別是磁性元件）可以更小，從而產(chǎn)生小型化優(yōu)勢并節省成本。然而，所有器件的開(kāi)關(guān)損耗都與頻率成正比。IGBT 由于“拖尾電流”以及較高的門(mén)極電容的充電/放電造成的功率損耗，IGBT 很少在 20KHz 以上運行。SiC MOSFET在更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的功率損耗方面提供了巨大的優(yōu)勢。IGBT 經(jīng)過(guò)多年的高度改進(jìn)，使得實(shí)現性能顯著(zhù)改進(jìn)變得越來(lái)越具有挑戰性。例如，很難降低總體功率損耗，因為在傳統的 IGBT 設計中，降低傳導損耗通常會(huì )導致開(kāi)關(guān)損耗增加。
作為應對這一設計挑戰的解決方案，SiC MOSFET 具有更強的抗熱失控能力。碳化硅 的導熱性更好，可以實(shí)現更好的設備級散熱和穩定的工作溫度。SiC MOSFET 更適合較溫暖的環(huán)境條件空間，例如汽車(chē)和工業(yè)應用。此外，鑒于其導熱性，SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統的需求，從而有可能減小總體系統尺寸并降低系統成本。
由于 SiC MOSFET 的工作開(kāi)關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常適合需要精確電機控制的應用。高開(kāi)關(guān)頻率在自動(dòng)化制造中至關(guān)重要，高精度伺服電機用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。此外，與 Si IGBT 電機驅動(dòng)器系統相比，SiC MOSFET 的一個(gè)顯著(zhù)優(yōu)勢是它們能夠嵌入電機組件中，電機控制器和逆變器嵌入與電機相同的外殼內。使用SiC MOSFET 作為變頻器或者伺服驅動(dòng)功率開(kāi)關(guān)器件的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，由于 MOSFET 的線(xiàn)性損耗與負載電流的關(guān)系，它可以在所有功率級別保持效率曲線(xiàn)“平坦”。SiC MOSFET變頻伺服驅動(dòng)器的柵極電阻的選擇是為了首先避免使用外部輸出濾波器，以保護電機免受高 dv/dt 的影響（只有電機電纜長(cháng)度才會(huì )衰減 dv/dt）。 SiC MOSFET變頻伺服驅動(dòng)器相較于IGBT變頻伺服驅動(dòng)器在高開(kāi)關(guān)頻率下的巨大效率優(yōu)越性.
盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但某些應用可能會(huì )看到整個(gè)電機驅動(dòng)器系統的價(jià)格下降（通過(guò)減少布線(xiàn)、無(wú)源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統相比總體上可能更便宜。這種成本節省可能需要在兩個(gè)應用系統之間進(jìn)行復雜的設計和成本研究分析，但可能會(huì )提高效率并節省成本?；?SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統能夠顯著(zhù)延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)續航里程并將充電時(shí)間縮短一半。
碳化硅 (SiC) MOSFET功率半導體技術(shù)代表了電力電子領(lǐng)域的根本性變革。SiC MOSFET 的價(jià)格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 貴。然而，在評估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整體電力電子系統價(jià)值時(shí)，需要考慮整個(gè)電力電子系統和節能潛力。需要仔細考慮以下電力電子系統節?。?第一降低無(wú)源元件成本，無(wú)源功率元件的成本在總體BOM成本中占主導地位。提高開(kāi)關(guān)頻率提供了一種減小這些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散熱要求，使用碳化硅 (SiC) MOSFET可顯著(zhù)降低散熱器溫度高達 50%，從而縮小散熱器尺寸和/或消除風(fēng)扇，從而降低設備生命周期內的能源成本。 通常的誘惑是在計算價(jià)值主張時(shí)僅考慮系統的組件和制造成本。在考慮碳化硅 (SiC) MOSFET的在電力電子系統里的價(jià)值時(shí)，考慮節能非常重要。在電力電子設備的整個(gè)生命周期內節省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET價(jià)值主張的一個(gè)重要部分。
